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参数目录49387
> NTBV5605T4G MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
型号:
NTBV5605T4G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NTBV5605T4G PDF
标准包装
800
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
140 毫欧 @ 8.5A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
22nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1190pF @ 25V
功率 - 最大
88W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)
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